近幾年隨著器件集成度的增加, 芯片尺寸、切割道寬等相應地不斷縮小。晶圓及芯片的厚度越來越薄，但由于半導體材料的脆性，傳統切割方式會對晶圓的正面和背面產生機械應力，而高速的水流也會給晶圓帶來形變壓力，結果在芯片的晶體內部產生應力損傷, 容易產生崩邊現象，同時產生碎屑污染，降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續的封裝工藝中或在產品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂，導致電性能失效。

       由于紫外光的波長在 0.4 μm 以下,并且聚焦點可小到亞微米數量級,使得紫外激光在芯片劃切時, 紫外激光工藝的切口 (在切割時材料損失的部分)比其他技術的更窄，切口寬度均小于3μm，并且切口更緊密、切口邊緣更平直、更精細和更光滑。由于紫外激光具有良好的聚焦性能和冷處理的特性,使得紫外激光可以加工極其微小的部件；不僅如此，可以被用來加工紅外和可見光激光器加工不了的材料。從而使紫外激光有更高的靈活性和更廣的應用場合。

       由于紫外激光切割技術在半導體芯片切割中的優勢，國外已經廣泛采用這項工藝技術，特別是在一些高端的芯片 (如薄芯片、GaAs 晶圓)和量產的芯片(如藍光 LED 制造)方面。目前來看紫外激光技術還有很大的待開發潛能，它將在單位晶圓裸片數量和縮短投資回收期方面有進一步的發展，它將為半導體芯片切割開拓出一片嶄新的前景。

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